发明授权
- 专利标题： Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
- 专利标题（中）： 沉积低介电常数碳化硅层的方法
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申请号： US10375853申请日： 2003-02-25
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公开(公告)号： US06855484B2公开(公告)日： 2005-02-15
- 发明人: Francimar Campana , Srinivas Nemani , Michael Chapin , Shankar Venkataraman
- 申请人： Francimar Campana , Srinivas Nemani , Michael Chapin , Shankar Venkataraman
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Moser, Patterson & Sheridan
- 主分类号： C23C16/36
- IPC分类号： C23C16/36 ; H01L21/027 ; H01L21/311 ; H01L21/314 ; H01L21/768 ; C23C16/32
摘要：
A method of forming a silicon carbide layer for use in integrated circuits is provided. The silicon carbide layer is formed by reacting a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and a nitrogen source in the presence of an electric field. The as-deposited silicon carbide layer incorporates nitrogen therein from the nitrogen source.
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