发明授权
- 专利标题： Group III nitride compound semiconductor device
- 专利标题（中）： III族氮化物化合物半导体器件
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申请号： US10020460申请日： 2001-12-18
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公开(公告)号： US06872965B2公开(公告)日： 2005-03-29
- 发明人: Jun Ito , Toshiaki Chiyo , Naoki Shibata , Hiroshi Watanabe , Shizuyo Asami , Shinya Asami
- 申请人： Jun Ito , Toshiaki Chiyo , Naoki Shibata , Hiroshi Watanabe , Shizuyo Asami , Shinya Asami
- 申请人地址： JP Aichi
- 专利权人： Toyoda Gosei Co., Ltd.
- 当前专利权人： Toyoda Gosei Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Aichi
- 代理机构： McGinn & Gibb, PLLC
- 优先权： JP11-058128 19990305; JP11-060206 19990308; JP11-061155 19990309; JP11-090833 19990331; JP11-235450 19990823
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L29/06
摘要：
An undercoat layer inclusive of a metal nitride layer is formed on a substrate. Group III nitride compound semiconductor layers are formed on the undercoat layer continuously.
公开/授权文献
- US20030042505A1 Group III nitride compound semiconductor device 公开/授权日：2003-03-06
信息查询
IPC分类:
