- 专利标题： Programming method for nonvolatile memory cell
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申请号： US10895712申请日： 2004-07-08
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公开(公告)号： US07020027B1公开(公告)日： 2006-03-28
- 发明人: Pavel Poplevine , Yuri Mirgorodski , Andrew J. Franklin , Peter J. Hopper
- 申请人： Pavel Poplevine , Yuri Mirgorodski , Andrew J. Franklin , Peter J. Hopper
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Vedder Price Kaufman & Kammholz P.C.
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04
摘要：
A method of programming a nonvolatile memory cell in which a ramped control voltage is used to obtain the desired voltage on the storage node.
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