发明授权
US07129531B2 Programmable resistance memory element with titanium rich adhesion layer
有权
可编程电阻记忆元件，具有富含钛的粘附层
- 专利标题： Programmable resistance memory element with titanium rich adhesion layer
- 专利标题（中）： 可编程电阻记忆元件，具有富含钛的粘附层
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申请号： US10442877申请日： 2003-05-21
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公开(公告)号： US07129531B2公开(公告)日： 2006-10-31
- 发明人: Jeffrey P. Fournier , Sergey A. Kostylev
- 申请人： Jeffrey P. Fournier , Sergey A. Kostylev
- 申请人地址： US MI Rochester Hills
- 专利权人： Ovonyx, Inc.
- 当前专利权人： Ovonyx, Inc.
- 当前专利权人地址： US MI Rochester Hills
- 代理商 Philip H. Schlazer; Marvin S. Siskind
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L29/73 ; H01L29/74 ; H01L29/768 ; H01L27/148
摘要：
A programmable resistance memory element comprising an adhesion layer between the programmable resistance material and at least one of the electrodes. Preferably, the adhesion layer is a titanium rich titanium nitride composition.
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