公开(公告)号：US07473950B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11448184

申请日：2006-06-07

申请人： Jeffrey P. Fournier

发明人： Jeffrey P. Fournier

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  Y10S977/741 ,  Y10S977/838

摘要： A nitrogenated carbon electrode suitable for use in a chalcogenide device and method of making the same are described. The electrode comprises nitrogenated carbon and is in electrical communication with a chalcogenide material. The nitrogenated carbon material may be produced by combining nitrogen and vaporized carbon in a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 描述适用于硫属化物装置的氮化碳电极及其制造方法。 电极包含氮化碳并与硫族化物材料电连通。 氮化碳材料可以通过在物理气相沉积工艺中组合氮气和汽化碳来制备。

公开(公告)号：US07692272B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11334504

申请日：2006-01-19

申请人： Isamu Asano ,  Natsuki Sato ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Jeffrey P. Fournier

发明人： Isamu Asano ,  Natsuki Sato ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Jeffrey P. Fournier

IPC分类号： H01L31/0264

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A non-volatile memory element comprises a bottom electrode 12; a top electrode 15; and a recording layer 13 containing phase change material and a block layer 14 that can block phase change of the recording layer 13, provided between the bottom electrode 12 and the top electrode 15. The block layer 14 is constituted of material having an electrical resistance that is higher than that of material constituting the recording layer 13. The block layer 14 suppresses the radiation of heat towards the top electrode 15 and greatly limits the phase change region when a write current is applied. The result is a high heating efficiency. The top electrode 15 itself can be used to constitute a bit line, or a separate bit line can be provided.

摘要翻译： 非易失性存储元件包括底部电极12; 顶部电极15; 以及包含相变材料的记录层13和可以阻挡设置在底部电极12和顶部电极15之间的记录层13的相变的阻挡层14.阻挡层14由具有电阻的材料构成， 比构成记录层13的材料高。阻挡层14抑制向顶部电极15的热辐射，并且在施加写入电流时极大地限制相变区域。 结果是高的加热效率。 顶部电极15本身可以用于构成位线，或者可以提供单独的位线。

公开(公告)号：US07129531B2

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：US10442877

申请日：2003-05-21

申请人： Jeffrey P. Fournier ,  Sergey A. Kostylev

发明人： Jeffrey P. Fournier ,  Sergey A. Kostylev

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74 ,  H01L29/768 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/16

摘要： A programmable resistance memory element comprising an adhesion layer between the programmable resistance material and at least one of the electrodes. Preferably, the adhesion layer is a titanium rich titanium nitride composition.

摘要翻译： 一种可编程电阻存储元件，包括在可编程电阻材料与至少一个电极之间的粘合层。 优选地，粘合层是富钛钛酸盐组合物。

公开(公告)号：US07943922B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12348979

申请日：2009-01-06

申请人： Jeffrey P. Fournier

发明人： Jeffrey P. Fournier

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  Y10S977/741 ,  Y10S977/838

摘要： A nitrogenated carbon electrode suitable for use in a chalcogenide device and method of making the same are described. The electrode comprises nitrogenated carbon and is in electrical communication with a chalcogenide material. The nitrogenated carbon material may be produced by combining nitrogen and vaporized carbon in a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 描述适用于硫属化物装置的氮化碳电极及其制造方法。 电极包含氮化碳并与硫族化物材料电连通。 氮化碳材料可以通过在物理气相沉积工艺中组合氮气和汽化碳来制备。

公开(公告)号：US20090146130A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12348979

申请日：2009-01-06

申请人： Jeffrey P. Fournier

发明人： Jeffrey P. Fournier

IPC分类号： H01L47/00 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  Y10S977/741 ,  Y10S977/838

摘要： A nitrogenated carbon electrode suitable for use in a chalcogenide device and method of making the same are described. The electrode comprises nitrogenated carbon and is in electrical communication with a chalcogenide material. The nitrogenated carbon material may be produced by combining nitrogen and vaporized carbon in a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 描述适用于硫属化物装置的氮化碳电极及其制造方法。 电极包含氮化碳并与硫族化物材料电连通。 氮化碳材料可以通过在物理气相沉积工艺中组合氮气和汽化碳来制备。

公开(公告)号：US20070284635A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11448184

申请日：2006-06-07

申请人： Jeffrey P. Fournier

发明人： Jeffrey P. Fournier

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  Y10S977/741 ,  Y10S977/838

摘要： A nitrogenated carbon electrode suitable for use in a chalcogenide device and method of making the same are described. The electrode comprises nitrogenated carbon and is in electrical communication with a chalcogenide material. The nitrogenated carbon material may be produced by combining nitrogen and vaporized carbon in a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 描述适用于硫属化物装置的氮化碳电极及其制造方法。 电极包含氮化碳并与硫族化物材料电连通。 氮化碳材料可以通过在物理气相沉积工艺中组合氮气和汽化碳来制备。