发明授权
- 专利标题： Reducing the dielectric constant of a portion of a gate dielectric
- 专利标题（中）： 降低栅极电介质的一部分的介电常数
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申请号： US10877836申请日： 2004-06-24
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公开(公告)号： US07148099B2公开(公告)日： 2006-12-12
- 发明人: Suman Datta , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Justin K. Brask , Robert S. Chau
- 申请人： Suman Datta , Jack Kavalieros , Mark L. Doczy , Matthew V. Metz , Justin K. Brask , Robert S. Chau
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： H01L21/8338
- IPC分类号： H01L21/8338
摘要：
In a metal gate replacement process, a cup-shaped gate metal oxide dielectric may have a vertical portion that may be exposed to a silicon ion implantation. As a result of the implantation, the dielectric constant of a vertical portion may be reduced, reducing fringe capacitance.
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