发明授权
- 专利标题： Ultra-shallow arsenic junction formation in silicon germanium
- 专利标题（中）： 硅锗中的超浅砷结点形成
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申请号： US11267413申请日： 2005-11-04
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公开(公告)号： US07163878B2公开(公告)日： 2007-01-16
- 发明人: Puneet Kohli , Mark Rodder , Rick Wise , Amitabh Jain
- 申请人： Puneet Kohli , Mark Rodder , Rick Wise , Amitabh Jain
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 Peter K. McLarty; W. James Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265
摘要：
In one aspect, the present invention provides a method of forming junctions in a silicon-germanium layer (20). In this particular embodiment, the method comprises implanting a dopant (80) into the silicon-germanium layer (20) and implanting fluorine (70) into the silicon-germanium layer (20).
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