发明授权
- 专利标题： Method and apparatus for implicit DRAM precharge
- 专利标题（中）： 隐式DRAM预充电的方法和装置
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申请号： US10676882申请日： 2003-09-30
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公开(公告)号： US07167946B2公开(公告)日： 2007-01-23
- 发明人: Randy B. Osborne
- 申请人： Randy B. Osborne
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 主分类号： G06F12/00
- IPC分类号： G06F12/00
摘要：
Apparatus and method to implicitly transmit a command to close a row of memory cells within a memory device as part of the transmission of an activate command to open another row of memory cells within the memory device.
公开/授权文献
- US20050071541A1 Method and apparatus for implicit DRAM precharge 公开/授权日：2005-03-31
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