发明授权
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： US10874306申请日： 2004-06-24
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公开(公告)号： US07180114B2公开(公告)日： 2007-02-20
- 发明人: Mitsutoshi Nakamura , Hirotaka Amakawa
- 申请人： Mitsutoshi Nakamura , Hirotaka Amakawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Finnegan, Henderson, Farabow, Garrett & Dunner, L.L.P.
- 优先权： JP2004-083227 20040322
- 主分类号： H01L23/556
- IPC分类号： H01L23/556
摘要：
A semiconductor device includes a silicon substrate having a film thickness smaller than a maximum range of a particle generated by a nuclear reaction between a fast neutron and a silicon atom, and a semiconductor element formed on a surface of the silicon substrate.
公开/授权文献
- US20050205953A1 Semiconductor device 公开/授权日：2005-09-22
信息查询
IPC分类:
