Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler

发明授权

US07183195B2 Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler 有权

标题翻译：使用混合低k电介质和无碳无机填料制造微电子器件的双镶嵌互连的方法

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专利标题： Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler
专利标题（中）： 使用混合低k电介质和无碳无机填料制造微电子器件的双镶嵌互连的方法
申请号： US10625007

申请日： 2003-07-23
公开(公告)号： US07183195B2

公开(公告)日： 2007-02-27
发明人: Kyoung-woo Lee , Soo-geun Lee , Wan-jae Park , Jae-hak Kim , Hong-jae Shin
申请人： Kyoung-woo Lee , Soo-geun Lee , Wan-jae Park , Jae-hak Kim , Hong-jae Shin
申请人地址： KR
专利权人： Samsung Electronics, Co., Ltd.
当前专利权人： Samsung Electronics, Co., Ltd.
当前专利权人地址： KR
代理机构： Mills & Onello LLP
优先权： KR10-2002-0043477 20020724; KR10-2003-0044852 20030703
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler

摘要：

A method of fabricating dual damascene interconnections is provided. A dual damascene region is formed in a hybrid dielectric layer having a dielectric constant of 3.3 or less, and a carbon-free inorganic material is used as a via filler. The present invention improves electrical properties of dual damascene interconnections and minimizes defects.

摘要（中）：

提供了一种制造双镶嵌互连的方法。在具有3.3或更小的介电常数的混合电介质层中形成双镶嵌区域，并且使用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改进了双镶嵌互连的电性能并使缺陷最小化。

公开/授权文献

US20040132291A1 Method of fabricating dual damascene interconnections of microelectronic device using hybrid low k-dielectric and carbon-free inorganic filler 公开/授权日：2004-07-08

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）