发明授权
- 专利标题： Thin layer of hafnium oxide and deposit process
- 专利标题（中）： 薄层氧化铪和沉积工艺
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申请号： US10607912申请日： 2003-06-27
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公开(公告)号： US07192623B2公开(公告)日： 2007-03-20
- 发明人: Bernard Andre , Jean Dijon , Brigitte Rafin
- 申请人： Bernard Andre , Jean Dijon , Brigitte Rafin
- 申请人地址： FR
- 专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人地址： FR
- 代理机构： Hayes Soloway P.C.
- 优先权： FR9814350 19981116
- 主分类号： C23C14/08
- IPC分类号： C23C14/08 ; C23C14/24
摘要：
A thin layer of hafnium oxide or stacking of thin layers comprising hafnium oxide layers for producing surface treatments of optical components, or optical components, in which at least one layer of hafnium oxide is in amorphous form and has a density less than 8 gm/cm3. The layer is formed by depositing on a substrate without energy input to the substrate.
公开/授权文献
- US20040091612A1 Thin layer of hafnium oxide and deposit process 公开/授权日：2004-05-13
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