发明授权
- 专利标题： Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
- 专利标题（中）： 沉积低介电常数碳化硅层的方法
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申请号： US10375793申请日： 2003-02-25
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公开(公告)号： US07200460B2公开(公告)日： 2007-04-03
- 发明人: Francimar Campana , Srinivas Nemani , Michael Chapin , Shankar Venkataraman
- 申请人： Francimar Campana , Srinivas Nemani , Michael Chapin , Shankar Venkataraman
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Patterson & Sheridan
- 主分类号： G06F19/00
- IPC分类号： G06F19/00 ; C23C16/00 ; G03C5/00
摘要：
A method of forming a silicon carbide layer for use in integrated circuits is provided. The silicon carbide layer is formed by reacting a gas mixture comprising a silicon source, a carbon source, and a nitrogen source in the presence of an electric field. The as-deposited silicon carbide layer incorporates nitrogen therein from the nitrogen source.
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