Reactive ion milling/RIE assisted CMP

发明授权

US07217666B2 Reactive ion milling/RIE assisted CMP 失效

标题翻译：反应离子研磨/ RIE辅助CMP

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专利标题： Reactive ion milling/RIE assisted CMP
专利标题（中）： 反应离子研磨/ RIE辅助CMP
申请号： US10792330

申请日： 2004-03-02
公开(公告)号： US07217666B2

公开(公告)日： 2007-05-15
发明人: Hung-Chin Guthrie , Ming Jiang , Jerry Lo , Aron Pentek , Yi Zheng
申请人： Hung-Chin Guthrie , Ming Jiang , Jerry Lo , Aron Pentek , Yi Zheng
申请人地址： NL Amsterdam
专利权人： Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.
当前专利权人： Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.
当前专利权人地址： NL Amsterdam
代理机构： Zilka-Kotab, PC
主分类号： H01L21/461
IPC分类号： H01L21/461

摘要：

A method for forming a high aspect ratio magnetic structure in a magnetic write head using a combination of chemical mechanical polishing and reactive ion etching.

摘要（中）：

使用化学机械抛光和反应离子蚀刻的组合在磁写头中形成高纵横比磁结构的方法。

公开/授权文献

US20050193550A1 Reactive ion milling / RIE assisted CMP 公开/授权日：2005-09-08

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割