发明授权
- 专利标题： Semiconductor device production method
- 专利标题（中）： 半导体器件生产方法
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申请号： US10704608申请日： 2003-11-12
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公开(公告)号： US07235428B2公开(公告)日： 2007-06-26
- 发明人: Kazumasa Tanida , Yoshihiko Nemoto , Mitsuo Umemoto
- 申请人： Kazumasa Tanida , Yoshihiko Nemoto , Mitsuo Umemoto
- 申请人地址： JP Kyoto JP Tokyo JP Osaka
- 专利权人： Rohm Co., Ltd.,Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha,Sanyo Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人： Rohm Co., Ltd.,Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha,Sanyo Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Kyoto JP Tokyo JP Osaka
- 代理机构： Rabin & Berdo PC
- 优先权： JP2002-338480 20021121
- 主分类号： H01L21/44
- IPC分类号： H01L21/44
摘要：
A semiconductor device production method including: the step of forming a stopper mask layer of a first metal on a semiconductor substrate, the stopper mask layer having an opening at a predetermined position thereof; the metal supplying step of supplying a second metal into the opening of the stopper mask layer to form a projection electrode of the second metal; and removing the stopper mask layer after the metal supplying step.
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