发明授权
- 专利标题： Vertical-cavity surface-emission type laser diode and fabrication process thereof
- 专利标题（中）： 垂直腔表面发射型激光二极管及其制造工艺
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申请号： US11338220申请日： 2006-01-23
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公开(公告)号： US07260137B2公开(公告)日： 2007-08-21
- 发明人: Shunichi Sato , Takashi Takahashi , Naoto Jikutani , Morimasa Kaminishi , Akihiro Itoh
- 申请人： Shunichi Sato , Takashi Takahashi , Naoto Jikutani , Morimasa Kaminishi , Akihiro Itoh
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Ricoh Company, Ltd.
- 当前专利权人： Ricoh Company, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Cooper & Dunham LLP
- 优先权： JP2000-286477 20000921; JP2001-068588 20010312; JP2001-214930 20010716
- 主分类号： H01S5/183
- IPC分类号： H01S5/183
摘要：
A vertical-cavity, surface-emission-type laser diode includes an optical cavity formed of an active region sandwiched by upper and lower reflectors, wherein the lower reflector is formed of a distributed Bragg reflector and a non-optical recombination elimination layer is provided between an active layer in the active region and the lower reflector.
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