发明授权
- 专利标题： Forming a copper diffusion barrier
- 专利标题（中）： 形成铜扩散屏障
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申请号： US10284576申请日： 2002-10-31
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公开(公告)号： US07279423B2公开(公告)日： 2007-10-09
- 发明人: Steven W. Johnston , Valery M. Dubin , Michael L. McSwiney , Peter Moon
- 申请人： Steven W. Johnston , Valery M. Dubin , Michael L. McSwiney , Peter Moon
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
Noble metal may be used as a non-oxidizing diffusion barrier to prevent diffusion from copper lines. A diffusion barrier may be formed of a noble metal formed over an adhesion promoting layer or by a noble metal cap over an oxidizable diffusion barrier. The copper lines may also be covered with a noble metal.
公开/授权文献
- US20040084773A1 Forming a copper diffusion barrier 公开/授权日：2004-05-06
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