发明授权
- 专利标题： Flash memory devices and methods of programming the same by overlapping programming operations for multiple mats
- 专利标题（中）： 闪存设备和通过重叠多个垫的编程操作对其编程的方法
-
申请号： US11283646申请日： 2005-11-21
-
公开(公告)号： US07349256B2公开(公告)日： 2008-03-25
- 发明人: Jin-Sung Park , Dae-Seok Byeon
- 申请人： Jin-Sung Park , Dae-Seok Byeon
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Myers Bigel Sibley & Sajovec, PA
- 优先权： KR10-2004-0109827 20041221
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C11/34 ; G11C7/00
摘要：
A flash memory device is programmed by loading first data into a page buffer of a first mat. Second data is loaded into a page buffer of a second mat while programming the first data in a first memory block of the first mat.
公开/授权文献
信息查询
