发明授权
US07354788B2 Method for processing a MEMS/CMOS cantilever based memory storage device
有权
用于处理基于MEMS / CMOS悬臂的存储器件的方法
- 专利标题： Method for processing a MEMS/CMOS cantilever based memory storage device
- 专利标题（中）： 用于处理基于MEMS / CMOS悬臂的存储器件的方法
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申请号： US11168195申请日： 2005-06-28
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公开(公告)号： US07354788B2公开(公告)日： 2008-04-08
- 发明人: Eyal Bar-Sadeh , Tsung-Kuan Chou , Valluri Rao , Krishnamurthy Murali
- 申请人： Eyal Bar-Sadeh , Tsung-Kuan Chou , Valluri Rao , Krishnamurthy Murali
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A method is disclosed. The method includes fabricating microelectromechanical (MEMS) structures of a Seek and Scan Probe (SSP) memory device on a first wafer, and fabricating CMOS and memory medium components of the SSP memory device on a second wafer.
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