发明授权
- 专利标题： Transition metal thin film forming method
- 专利标题（中）： 过渡金属薄膜成型方法
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申请号： US10471588申请日： 2002-03-14
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公开(公告)号： US07361595B2公开(公告)日： 2008-04-22
- 发明人: Hideaki Yamasaki , Susumu Arima , Yumiko Kawano
- 申请人： Hideaki Yamasaki , Susumu Arima , Yumiko Kawano
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人： Tokyo Electron Limited
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Crowell & Moring LLP
- 优先权： JP2001-077115 20010316; JP2001-179399 20010613
- 国际申请： PCT/JP02/02425 WO 20020314
- 国际公布： WO02/075011 WO 20020926
- 主分类号： H01L21/44
- IPC分类号： H01L21/44
摘要：
A semiconductor substrate is placed in a predetermined processing vessel, and oxygen gas activated by, e.g. conversion into a plasma is supplied onto an insulating film. The surfaces of an interlevel insulating film and insulating film are exposed to the activated oxygen gas. After that, a transition metal film, e.g. a ruthenium film, is formed by CVD.
公开/授权文献
- US20040231585A1 Thin film forming method and thin film forming apparatus 公开/授权日：2004-11-25
信息查询
IPC分类:
