Method for stripping photoresist from etched wafer

发明授权

US07396769B2 Method for stripping photoresist from etched wafer 有权

标题翻译：从蚀刻晶片剥离光刻胶的方法

请登陆查看更多内容

专利标题： Method for stripping photoresist from etched wafer
专利标题（中）： 从蚀刻晶片剥离光刻胶的方法
申请号： US10910059

申请日： 2004-08-02
公开(公告)号： US07396769B2

公开(公告)日： 2008-07-08
发明人: Eric A. Hudson , Peter Cirigliano
申请人： Eric A. Hudson , Peter Cirigliano
申请人地址： US CA Fremont
专利权人： Lam Research Corporation
当前专利权人： Lam Research Corporation
当前专利权人地址： US CA Fremont
代理机构： Beyer Law Group LLP
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/302 ; H01L21/461

Method for stripping photoresist from etched wafer

摘要：

A method of forming a feature in a low-k (k

摘要（中）：

提供了在低k（k <3.0）电介质层中形成特征的方法。将低k电介质层放置在衬底上。将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。至少一个特征被蚀刻到低k介电层中。提供了包含CO 2 2的汽提气体。由包含CO 2 2的汽提气体形成等离子体。来自包含CO 2 2的汽提气体的等离子体用于剥离图案化的光致抗蚀剂掩模。

公开/授权文献

US20060024968A1 Method for stripping photoresist from etched wafer 公开/授权日：2006-02-02

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀