Gallium nitride-based semiconductor device

发明授权

US07453091B2 Gallium nitride-based semiconductor device 有权

标题翻译：氮化镓基半导体器件

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专利标题： Gallium nitride-based semiconductor device
专利标题（中）： 氮化镓基半导体器件
申请号： US10591585

申请日： 2005-03-03
公开(公告)号： US07453091B2

公开(公告)日： 2008-11-18
发明人: Masato Kobayakawa , Hideki Tomozawa , Hisayuki Miki
申请人： Masato Kobayakawa , Hideki Tomozawa , Hisayuki Miki
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： Showa Denko K.K.
当前专利权人： Showa Denko K.K.
当前专利权人地址： JP Tokyo
代理机构： Sughrue Mion, PLLC
优先权： JP2004-060495 20040304
国际申请： PCT/JP2005/004140 WO 20050303
国际公布： WO2005/086242 WO 20050915
主分类号： H01L29/26
IPC分类号： H01L29/26

摘要：

A gallium nitride-based semiconductor device has a p-type layer that is a gallium nitride compound semiconductor layer containing a p-type impurity and exhibiting p-type conduction. The p-type layer includes a top portion and an inner portion located under the top portion. The inner portion contains the p-type impurity element and, in combination therewith, hydrogen.

摘要（中）：

氮化镓类半导体器件具有作为含有p型杂质且呈p型导电性的氮化镓系化合物半导体层的p型层。 p型层包括顶部和位于顶部下方的内部。内部包含p型杂质元素，并与其组合，包含氢。

公开/授权文献

US20070187693A1 Gallium nitride-based semiconductor device 公开/授权日：2007-08-16

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/26	...除掺杂材料或其他杂质外，包括有包含在H01L29/16，H01L29/18，H01L29/20，H01L29/22，H01L29/24各组中两组或更多个组内的元素的