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发明授权
US07459372B2 Methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide and methods of manufacturing a semiconductor device including the same 有权
制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法及其制造方法

Methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide and methods of manufacturing a semiconductor device including the same
摘要：
The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.
摘要（中）：

本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469 ......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理
H01L21/471 .......无机层（H01L21/475，H01L21/4757优先）
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