公开(公告)号：US20060035405A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11191423

申请日：2005-07-28

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/16

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.

摘要翻译： 本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

公开(公告)号：US20060013946A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11182893

申请日：2005-07-15

申请人： Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Beom-Jun Jin ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Beom-Jun Jin ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A thin film structure is formed that includes hafnium silicon oxide using an atomic layer deposition process. A first reactant including tetrakis ethyl methyl amino hafnium (TEMAH) is introduced onto a substrate. A first portion of the first reactant is chemisorbed to the substrate, whereas a second portion of the first reactant is physorbed to the first portion of the first reactant. A first oxidant is provided onto the substrate. A first thin film including hafnium oxide is formed on the substrate by chemically reacting the first oxidant with the first portion of the first reactant. A second reactant including amino propyl tri ethoxy silane (APTES) is introduced onto the first thin film. A first portion of the second reactant is chemisorbed to the first thin film, whereas a second portion of the second reactant is physorbed to the first portion of the second reactant. A second oxidant is provided onto the first thin film. A second thin film including silicon oxide is formed on the first thin film by chemically reacting the second oxidant with the first portion of the second reactant.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成包括氧化铪的薄膜结构。 将包含四乙基甲基氨基铪（TEMAH）的第一反应物引入到基材上。 第一反应物的第一部分被化学吸附到基底上，而第一反应物的第二部分被物理吸附到第一反应物的第一部分。 第一氧化剂被提供到基底上。 通过使第一氧化剂与第一反应物的第一部分发生化学反应，在衬底上形成包括氧化铪的第一薄膜。 将包含氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）的第二反应物引入到第一薄膜上。 第二反应物的第一部分被化学吸附到第一薄膜，而第二反应物的第二部分被物理吸附到第二反应物的第一部分。 在第一薄膜上提供第二氧化剂。 通过使第二氧化剂与第二反应物的第一部分化学反应，在第一薄膜上形成包括氧化硅的第二薄膜。

公开(公告)号：US20070166931A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11567971

申请日：2006-12-07

申请人： Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes depositing a high-dielectric film on a semiconductor substrate and performing an oxygen plasma treatment on the high-dielectric film deposited on the semiconductor substrate. The method further includes forming an electrode on the oxygen-plasma treated high-dielectric film.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在半导体衬底上沉积高电介质膜并对沉积在半导体衬底上的高电介质膜进行氧等离子体处理。 该方法还包括在氧等离子体处理的高电介质膜上形成电极。

公开(公告)号：US20060030097A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US11183651

申请日：2005-07-18

申请人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

发明人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method of forming transistor gate structures in an integrated circuit device can include forming a high-k gate insulating layer on a substrate including a first region to include PMOS transistors and a second region to include NMOS transistors. A polysilicon gate layer can be formed on the high-k gate insulating layer in the first and second regions. A metal silicide gate layer can be formed directly on the high-k gate insulating layer in the first region and avoiding forming the metal-silicide in the second region. Related gate structures are also disclosed.

摘要翻译： 在集成电路器件中形成晶体管栅结构的方法可以包括在包括PMOS晶体管的第一区域的衬底上形成高k栅极绝缘层，以及包括NMOS晶体管的第二区域。 可以在第一和第二区域的高k栅极绝缘层上形成多晶硅栅极层。 可以在第一区域中的高k栅极绝缘层上直接形成金属硅化物栅极层，并且避免在第二区域中形成金属硅化物。 还公开了相关门结构。

公开(公告)号：US20060019501A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US11180121

申请日：2005-07-13

申请人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Sang-Bom Kang ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： Methods of forming a thin film include applying a first reactant to a substrate, chemisorbing a first portion of the first reactant and physisorbing a second portion of the first reactant on the substrate, applying a first oxidizer to the substrate, chemically reacting the first oxidizer with the first portion of the first reactant to form a first solid material on the substrate, applying a second reactant to the first solid material, chemisorbing a first portion of the second reactant and physisorbing a second portion of the second reactant on the first solid material, applying a second oxidizer to the first solid material; and chemically reacting the second oxidizer with the first portion of the second reactant to form a second solid material on the first solid material.

摘要翻译： 形成薄膜的方法包括将第一反应物施加到基底，化学吸收第一反应物的第一部分并在基底上吸附第一反应物的第二部分，将第一氧化剂施加到基底上，使第一氧化剂与 所述第一反应物的第一部分在所述基底上形成第一固体材料，向所述第一固体材料施加第二反应物，化学吸附所述第二反应物的第一部分并在所述第一固体材料上吸附所述第二反应物的第二部分， 将第二氧化剂施加到所述第一固体材料; 以及使所述第二氧化剂与所述第二反应物的第一部分化学反应以在所述第一固体材料上形成第二固体材料。

公开(公告)号：US07459372B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11191423

申请日：2005-07-28

申请人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Hong-Bae Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L21/471 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： The present invention can provide methods of manufacturing a thin film including hafnium titanium oxide. The methods can include introducing a first reactant including a hafnium precursor onto a substrate; chemisorbing a first portion of the first reactant to the substrate, and physisorbing a second portion of the first reactant to the substrate and the chemisorbed first portion of the first reactant; providing a first oxidant onto the substrate; forming a first thin film including hafnium oxide on the substrate; introducing a second reactant including a titanium precursor onto the first thin film; chemisorbing a first portion of the second reactant to the first thin film, and physisorbing a second portion of the second reactant to the first thin film and the chemisorbed first portion of the second reactant; providing a second oxidant onto the first thin film; and forming a second thin film including titanium oxide on the first thin film. The present invention can further provide methods of manufacturing a gate structure and a capacitor.

摘要翻译： 本发明可以提供制造包括铪钛氧化物的薄膜的方法。 所述方法可以包括将包含铪前体的第一反应物引入到基底上; 将所述第一反应物的第一部分化学吸附至所述基底，以及将所述第一反应物的第二部分物理吸附至所述基底和所述第一反应物的化学吸附的第一部分; 在衬底上提供第一氧化剂; 在基板上形成包括氧化铪的第一薄膜; 将包含钛前体的第二反应物引入到所述第一薄膜上; 将所述第二反应物的第一部分化学吸附到所述第一薄膜，以及将所述第二反应物的第二部分物理吸附到所述第一薄膜和所述第二反应物的化学吸附的第一部分; 在第一薄膜上提供第二氧化剂; 以及在所述第一薄膜上形成包括氧化钛的第二薄膜。 本发明还可以提供制造栅极结构和电容器的方法。

公开(公告)号：US07399670B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11183651

申请日：2005-07-18

申请人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

发明人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method of forming transistor gate structures in an integrated circuit device can include forming a high-k gate insulating layer on a substrate including a first region to include PMOS transistors and a second region to include NMOS transistors. A polysilicon gate layer can be formed on the high-k gate insulating layer in the first and second regions. A metal silicide gate layer can be formed directly on the high-k gate insulating layer in the first region and avoiding forming the metal-silicide in the second region. Related gate structures are also disclosed.

摘要翻译： 在集成电路器件中形成晶体管栅结构的方法可以包括在包括PMOS晶体管的第一区域的衬底上形成高k栅极绝缘层，以及包括NMOS晶体管的第二区域。 可以在第一和第二区域的高k栅极绝缘层上形成多晶硅栅极层。 可以在第一区域中的高k栅极绝缘层上直接形成金属硅化物栅极层，并且避免在第二区域中形成金属硅化物。 还公开了相关门结构。

公开(公告)号：US20070063295A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11522343

申请日：2006-09-18

申请人： In-Sang Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hye-Min Kim ,  Beom-Jun Jin

发明人： In-Sang Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hye-Min Kim ,  Beom-Jun Jin

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： Example embodiments relate to a gate electrode, a method of forming the gate electrode, a transistor having the gate electrode, a method of manufacturing the transistor, a semiconductor device having the transistor and a method of manufacturing the semiconductor device. The gate electrode may include an embossing structure including a metal or a metal compound and having a first work function and a conductive layer pattern having a second work function formed on the embossing structure. A work function of the gate electrode may be adjusted between a work function of the embossing structure and a work function of the conductive layer pattern formed on the embossing structure. An NMOS transistor and a PMOS transistor having different work functions respectively may be formed on a substrate.

摘要翻译： 示例性实施例涉及栅电极，形成栅电极的方法，具有栅电极的晶体管，制造晶体管的方法，具有晶体管的半导体器件和制造半导体器件的方法。 栅电极可以包括包括金属或金属化合物并具有第一功函数的压花结构和在压花结构上形成的具有第二功函数的导电层图案。 可以在压花结构的功函数和形成在压花结构上的导电层图案的功函数之间调整栅电极的功函数。 可以在衬底上形成具有不同功函数的NMOS晶体管和PMOS晶体管。

公开(公告)号：US20060151826A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11326286

申请日：2006-01-06

申请人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Seong-Geon Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Seong-Geon Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/11568

摘要： A semiconductor device may include a gate structure having a gate insulation layer formed on a substrate, and a gate electrode formed on the gate insulation layer. A composite barrier layer may be formed on the gate structure.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有形成在衬底上的栅极绝缘层的栅极结构和形成在栅极绝缘层上的栅电极。 可以在栅极结构上形成复合阻挡层。

公开(公告)号：US20070032008A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11494100

申请日：2006-07-27

申请人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

发明人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate divided into an NMOS region and a PMOS region, a first gate pattern formed on the PMOS region, and a second gate pattern formed on the NMOS region. The first gate pattern includes a first gate oxide layer pattern, a metal oxide layer pattern, a silicon nitride layer pattern and a first polysilicon layer pattern that are sequentially stacked. The second gate pattern includes a second oxide layer pattern and a second polysilicon layer pattern. Related methods are also provided.

摘要翻译： 半导体器件包括分为NMOS区和PMOS区的衬底，形成在PMOS区上的第一栅极图案，以及形成在NMOS区上的第二栅极图案。 第一栅极图案包括依次层叠的第一栅极氧化物层图案，金属氧化物层图案，氮化硅层图案和第一多晶硅层图案。 第二栅极图案包括第二氧化物层图案和第二多晶硅层图案。 还提供了相关方法。