发明授权
- 专利标题： Gate electrode having a capping layer
- 专利标题（中）： 栅极具有封盖层
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申请号： US11322745申请日： 2005-12-30
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公开(公告)号： US07524727B2公开(公告)日： 2009-04-28
- 发明人: Gilbert Dewey , Mark L. Doczy , Suman Datta , Justin K. Brask , Matthew V. Metz
- 申请人： Gilbert Dewey , Mark L. Doczy , Suman Datta , Justin K. Brask , Matthew V. Metz
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor device and a novel semiconductor device are disclosed herein. An exemplary method includes sputtering a capping layer in-situ on a gate dielectric layer, before any high temperature processing steps are performed.
公开/授权文献
- US20070152271A1 Gate electrode having a capping layer 公开/授权日：2007-07-05
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