发明授权
- 专利标题： Trench MOSFET technology for DC-DC converter applications
- 专利标题（中）： 用于DC-DC转换器应用的沟槽MOSFET技术
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申请号： US10766465申请日： 2004-01-27
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公开(公告)号： US07557395B2公开(公告)日： 2009-07-07
- 发明人: Ling Ma , Adam Amali , Siddharth Kiyawat , Ashita Mirchandani , Donald He , Naresh Thapar , Ritu Sodhi , Kyle Spring , Daniel Kinzer
- 申请人： Ling Ma , Adam Amali , Siddharth Kiyawat , Ashita Mirchandani , Donald He , Naresh Thapar , Ritu Sodhi , Kyle Spring , Daniel Kinzer
- 申请人地址： US CA El Segundo
- 专利权人： International Rectifier Corporation
- 当前专利权人： International Rectifier Corporation
- 当前专利权人地址： US CA El Segundo
- 代理机构： Farjami & Farjami LLP
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76
摘要：
A trench power semiconductor device including a recessed termination structure.
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