公开(公告)号：US07557395B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US10766465

申请日：2004-01-27

申请人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

发明人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H02M3/1588 ,  Y02B70/1466 ,  Y10S257/901

摘要： A trench power semiconductor device including a recessed termination structure.

摘要翻译： 一种沟槽功率半导体器件，包括凹入的端接结构。

公开(公告)号：US06921699B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10674444

申请日：2003-09-29

申请人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

发明人： Ling Ma ,  Adam Amali ,  Siddharth Kiyawat ,  Ashita Mirchandani ,  Donald He ,  Naresh Thapar ,  Ritu Sodhi ,  Kyle Spring ,  Daniel Kinzer

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A process for manufacturing a semiconductor device of the trench variety with reduced feature sizes and improved characteristics which process includes forming a termination structure having a field oxide disposed in a recess below the surface of the semiconductor die in which the active elements of the device are formed, and forming source regions after the major thermal steps have been performed.

摘要翻译： 一种用于制造具有减小的特征尺寸和改进特性的沟槽种类的半导体器件的方法，该工艺包括形成具有设置在其中形成有器件的有源元件的半导体管芯的表面下方的凹陷中的场氧化物的端接结构 并且在主要热步骤之后形成源区。