发明授权
- 专利标题： Programmable resistive RAM and manufacturing method
- 专利标题（中）： 可编程电阻RAM及制造方法
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申请号： US11426213申请日： 2006-06-23
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公开(公告)号： US07560337B2公开(公告)日： 2009-07-14
- 发明人: ChiaHua Ho , Erh-Kun Lai , Kuang Yeu Hsieh
- 申请人： ChiaHua Ho , Erh-Kun Lai , Kuang Yeu Hsieh
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Haynes Beffel & Wolfeld LLP
- 代理商 Kenta Suzue
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
Programmable resistive RAM cells have a resistance that depends on the size of the contacts. Manufacturing methods and integrated circuits for lowered contact resistance are disclosed that have contacts of reduced size.
公开/授权文献
- US20070173019A1 Programmable Resistive Ram and Manufacturing Method 公开/授权日：2007-07-26
信息查询
IPC分类:
