利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
US07645664B1 Layout pattern for deep well region to facilitate routing body-bias voltage 有权
用于深井区域的布局图，以方便路偏偏置电压

  • 专利标题： Layout pattern for deep well region to facilitate routing body-bias voltage
  • 专利标题（中）： 用于深井区域的布局图，以方便路偏偏置电压
  • 申请号： US11449952
    申请日： 2006-06-08
  • 公开(公告)号： US07645664B1
    公开(公告)日： 2010-01-12
  • 发明人: Mike Pelham , James B. Burr
  • 申请人： Mike Pelham , James B. Burr
  • 主分类号： H01L21/8238
  • IPC分类号： H01L21/8238 ;  H01L29/76
Layout pattern for deep well region to facilitate routing body-bias voltage
摘要：
Layout patterns for the deep well region to facilitate routing the body-bias voltage in a semiconductor device are provided and described. The layout patterns include a diagonal sub-surface mesh structure, an axial sub-surface mesh structure, a diagonal sub-surface strip structure, and an axial sub-surface strip structure. A particular layout pattern is selected for an area of the semiconductor device according to several factors.
摘要（中）：

提供并描述了深阱区域的布局图案，以便于在半导体器件中布置体偏置电压。 布局图案包括对角子表面网格结构，轴向子表面网格结构，对角子表面条带结构和轴向子表面条带结构。 根据几个因素，为半导体器件的区域选择特定的布局图案。

信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
0/0