公开(公告)号：US20100072575A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12628011

申请日：2009-11-30

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0646 ,  G11C5/146 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Layout patterns for the deep well region to facilitate routing the body-bias voltage in a semiconductor device are provided and described. The layout patterns include a diagonal sub-surface mesh structure, an axial sub-surface mesh structure, a diagonal sub-surface strip structure, and an axial sub-surface strip structure. A particular layout pattern is selected for an area of the semiconductor device according to several factors.

摘要翻译： 提供并描述了深阱区域的布局图案，以便于在半导体器件中布置体偏置电压。 布局图案包括对角子表面网格结构，轴向子表面网格结构，对角子表面条带结构和轴向子表面条带结构。 根据几个因素，为半导体器件的区域选择特定的布局图案。

公开(公告)号：US07323367B1

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US11799496

申请日：2007-05-01

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823892 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Diagonal deep well region for routing the body-bias voltage for MOSFETS in surface well regions is provided and described.

摘要翻译： 提供和描述了用于在表面阱区域中为MOSFETs布置体偏置的对角深阱区域。

公开(公告)号：US07863688B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12628011

申请日：2009-11-30

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0646 ,  G11C5/146 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Layout patterns for the deep well region to facilitate routing the body-bias voltage in a semiconductor device are provided and described. The layout patterns include a diagonal sub-surface mesh structure, an axial sub-surface mesh structure, a diagonal sub-surface strip structure, and an axial sub-surface strip structure. A particular layout pattern is selected for an area of the semiconductor device according to several factors.

摘要翻译： 提供并描述了深阱区域的布局图案，以便于在半导体器件中布置体偏置电压。 布局图案包括对角子表面网格结构，轴向子表面网格结构，对角子表面条带结构和轴向子表面条带结构。 根据几个因素，为半导体器件的区域选择特定的布局图案。

公开(公告)号：US07608897B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US12011665

申请日：2008-01-28

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823892 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Diagonal deep well region for routing the body-bias voltage for MOSFETS in surface well regions is provided and described.

摘要翻译： 提供和描述了用于在表面阱区域中用于路由MOSFETS的体偏置的对角深阱区域。

公开(公告)号：US20080121941A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US12011665

申请日：2008-01-28

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L21/823892 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Diagonal deep well region for routing the body-bias voltage for MOSFETS in surface well regions is provided and described.

公开(公告)号：US06936898B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10334272

申请日：2002-12-31

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0646 ,  G11C5/146 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Diagonal deep well region for routing the body-bias voltage for MOSFETS in surface well regions is provided and described.

摘要翻译： 提供和描述了用于在表面阱区域中用于路由MOSFETS的体偏置的对角深阱区域。

公开(公告)号：US07645664B1

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11449952

申请日：2006-06-08

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0646 ,  G11C5/146 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Layout patterns for the deep well region to facilitate routing the body-bias voltage in a semiconductor device are provided and described. The layout patterns include a diagonal sub-surface mesh structure, an axial sub-surface mesh structure, a diagonal sub-surface strip structure, and an axial sub-surface strip structure. A particular layout pattern is selected for an area of the semiconductor device according to several factors.

摘要翻译： 提供并描述了深阱区域的布局图案，以便于在半导体器件中布置体偏置电压。 布局图案包括对角子表面网格结构，轴向子表面网格结构，对角子表面条带结构和轴向子表面条带结构。 根据几个因素，为半导体器件的区域选择特定的布局图案。

公开(公告)号：US07211478B1

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US11199896

申请日：2005-08-08

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/337 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/0646 ,  G11C5/146 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Diagonal deep well region for routing the body-bias voltage for MOSFETS in surface well regions is provided and described.

摘要翻译： 提供和描述了用于在表面阱区域中用于路由MOSFETS的体偏置的对角深阱区域。

公开(公告)号：US07098512B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10683732

申请日：2003-10-10

申请人： Mike Pelham ,  James B. Burr

发明人： Mike Pelham ,  James B. Burr

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0646 ,  G11C5/146 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/1095 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Layout patterns for the deep well region to facilitate routing the body-bias voltage in a semiconductor device are provided and described. The layout patterns include a diagonal sub-surface mesh structure, an axial sub-surface mesh structure, a diagonal sub-surface strip structure, and an axial sub-surface strip structure. A particular layout pattern is selected for an area of the semiconductor device according to several factors.

摘要翻译： 提供并描述了深阱区域的布局图案，以便于在半导体器件中布置体偏置电压。 布局图案包括对角子表面网格结构，轴向子表面网格结构，对角子表面条带结构和轴向子表面条带结构。 根据几个因素，为半导体器件的区域选择特定的布局图案。

公开(公告)号：US08633547B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US12140197

申请日：2008-06-16

申请人： Robert Masleid ,  James B. Burr ,  Michael Pelham

发明人： Robert Masleid ,  James B. Burr ,  Michael Pelham

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/52 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0218 ,  H01L27/092 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Structures for spanning gap in body-bias voltage routing structure. In an embodiment, a structure is comprised of at least one metal wire.

摘要翻译： 体偏电压布线结构跨越间隙的结构。 在一个实施例中，结构由至少一根金属线构成。