发明授权
- 专利标题： Advanced CMOS using super steep retrograde wells
- 专利标题（中）： 先进的CMOS使用超级陡逆流井
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申请号： US11928652申请日： 2007-10-30
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公开(公告)号： US07655523B2公开(公告)日： 2010-02-02
- 发明人: Jeffrey A. Babcock , Angelo Pinto , Scott Balster , Alfred Haeusler , Gregory E. Howard
- 申请人： Jeffrey A. Babcock , Angelo Pinto , Scott Balster , Alfred Haeusler , Gregory E. Howard
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 Jacqueline J. Garner; Wade J. Brady III; Frederick J. Telecky, Jr.
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
The present invention is a method for forming super steep doping profiles in MOS transistor structures. The method comprises forming a carbon containing layer (110) beneath the gate dielectric (50) and source and drain regions (80) of a MOS transistor. The carbon containing layer (110) will prevent the diffusion of dopants into the region (40) directly beneath the gate dielectric layer (50).
公开/授权文献
- US20080132012A1 Advanced CMOS Using Super Steep Retrograde Wells 公开/授权日：2008-06-05
信息查询
IPC分类:
