发明授权
- 专利标题： Method and structure to reduce contact resistance on thin silicon-on-insulator device
- 专利标题（中）： 减薄绝缘体上硅器件接触电阻的方法和结构
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申请号： US12174673申请日： 2008-07-17
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公开(公告)号： US07687865B2公开(公告)日： 2010-03-30
- 发明人: Brian J. Greene , Louis Lu-Chen Hsu , Jack Allan Mandelman , Chun-Yung Sung
- 申请人： Brian J. Greene , Louis Lu-Chen Hsu , Jack Allan Mandelman , Chun-Yung Sung
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理机构： McGinn IP Law Group, PLLC
- 代理商 Vazken Alexanian
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76
摘要：
A method (and system) of reducing contact resistance on a silicon-on-insulator device, including controlling a silicide depth in a source-drain region of the device.
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