发明授权
US07695765B1 Methods for producing low-stress carbon-doped oxide films with improved integration properties
有权
用于生产低应力碳掺杂氧化物膜的方法，具有改进的积分性能
- 专利标题： Methods for producing low-stress carbon-doped oxide films with improved integration properties
- 专利标题（中）： 用于生产低应力碳掺杂氧化物膜的方法，具有改进的积分性能
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申请号： US10987208申请日： 2004-11-12
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公开(公告)号： US07695765B1公开(公告)日： 2010-04-13
- 发明人: Keith Fox , Carole Mars , Willis Kirkpatrick , Easwar Srinivasan
- 申请人： Keith Fox , Carole Mars , Willis Kirkpatrick , Easwar Srinivasan
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： Novellus Systems, Inc.
- 当前专利权人： Novellus Systems, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 代理机构： Weaver Austin Villeneuve & Sampson LLP
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40
摘要：
Methods of preparing a carbon doped oxide (CDO) layer with a low dielectric constant (
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