发明授权
US07719883B2 Magnetoresistive element, particularly memory element or logic element, and method for writing information to such an element
有权
磁阻元件，特别是存储器元件或逻辑元件，以及用于将信息写入到这种元件的方法
- 专利标题： Magnetoresistive element, particularly memory element or logic element, and method for writing information to such an element
- 专利标题（中）： 磁阻元件，特别是存储器元件或逻辑元件，以及用于将信息写入到这种元件的方法
-
申请号： US11909854申请日： 2006-03-30
-
公开(公告)号： US07719883B2公开(公告)日： 2010-05-18
- 发明人: Andreas Hochstrat , Xi Chen , Pavel Borisov , Wolfgang Kleemann
- 申请人： Andreas Hochstrat , Xi Chen , Pavel Borisov , Wolfgang Kleemann
- 申请人地址： DE Essen
- 专利权人： Universitat Duisburh-Essen
- 当前专利权人： Universitat Duisburh-Essen
- 当前专利权人地址： DE Essen
- 代理机构： Sheridan Ross, P.C.
- 代理商 Jason H. Vick
- 优先权： DE102005014820 20050330; DE102005015339 20050401; DE102005043574 20050912
- 国际申请： PCT/EP2006/002892 WO 20060330
- 国际公布： WO2006/103065 WO 20061005
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
A magnetoresistive element, in particular a memory element or a logic element and a method for writing information to such an element are disclosed. The element comprises a first contact of ferromagnetic material and a corresponding layer of magnetoelectric or ferromagnetic material, whereby the first contact is magnetically polarized, depending on an antiferromagnetic boundary surface polarization of the first layer. Said magnetic polarization forms binary information.
公开/授权文献
信息查询
