公开(公告)号：US07719883B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11909854

申请日：2006-03-30

申请人： Andreas Hochstrat ,  Xi Chen ,  Pavel Borisov ,  Wolfgang Kleemann

发明人： Andreas Hochstrat ,  Xi Chen ,  Pavel Borisov ,  Wolfgang Kleemann

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/2275 ,  G11C13/06 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistive element, in particular a memory element or a logic element and a method for writing information to such an element are disclosed. The element comprises a first contact of ferromagnetic material and a corresponding layer of magnetoelectric or ferromagnetic material, whereby the first contact is magnetically polarized, depending on an antiferromagnetic boundary surface polarization of the first layer. Said magnetic polarization forms binary information.

摘要翻译： 公开了一种磁阻元件，特别是存储元件或逻辑元件以及向这种元件写入信息的方法。 元件包括铁磁材料的第一接触和相应的磁电或铁磁材料层，由此第一接触是磁极化的，这取决于第一层的反铁磁边界表面极化。 所述磁极化形成二进制信息。