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发明授权
US07741176B2 Method for fabricating a cylindrical capacitor including implanting impurities into the upper sections of the lower electrode to prevent the formation of hemispherical grain silicon on the upper sections 有权
一种用于制造圆柱形电容器的方法，包括将杂质注入到下电极的上部，以防止在上部形成半球形晶粒硅

  • 专利标题： Method for fabricating a cylindrical capacitor including implanting impurities into the upper sections of the lower electrode to prevent the formation of hemispherical grain silicon on the upper sections
  • 专利标题（中）： 一种用于制造圆柱形电容器的方法，包括将杂质注入到下电极的上部，以防止在上部形成半球形晶粒硅
  • 申请号： US12013509
    申请日： 2008-01-14
  • 公开(公告)号： US07741176B2
    公开(公告)日： 2010-06-22
  • 发明人: Tomohiro Uno , Yoshitaka Nakamura
  • 申请人： Tomohiro Uno , Yoshitaka Nakamura
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： Elpida Memory, Inc.
  • 当前专利权人： Elpida Memory, Inc.
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 代理机构： Sughrue Mion, PLLC
  • 优先权： JP2007-005944 20070115
  • 主分类号： H01L21/8242
  • IPC分类号： H01L21/8242 ;  H01L27/108
Method for fabricating a cylindrical capacitor including implanting impurities into the upper sections of the lower electrode to prevent the formation of hemispherical grain silicon on the upper sections
摘要：
A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a capacitor and a support insulator. The capacitor includes a cylindrical electrode. The cylindrical electrode comprises upper and lower sections. The lower section has a roughened inner surface and an outer surface supported by the support insulator. The upper section upwardly projects from the support insulator. An initial cylindrical electrode is formed, wherein the initial cylindrical electrode comprises an initial upper section and an initial lower section which correspond to the upper section and the lower section of the cylindrical electrode, respectively. The initial upper section is supported by the support insulator. Specific impurities are implanted into the initial upper section, wherein the specific impurities serve to prevent the initial upper section from being roughened. Then, the initial cylindrical electrode is exposed to a roughening process so that the initial lower section is roughened to be the lower section.
摘要（中）：

公开了一种制造半导体器件的方法。 半导体器件包括电容器和支撑绝缘体。 电容器包括圆柱形电极。 圆柱形电极包括上部和下部。 下部具有粗糙的内表面和由支撑绝缘体支撑的外表面。 上部从支撑绝缘体向上突出。 形成初始圆柱形电极，其中初始圆柱形电极分别包括对应于圆柱形电极的上部和下部的初始上部和初始下部。 最初的上部由支撑绝缘子支撑。 特定的杂质被注入到初始上部，其中特定的杂质用于防止初始上部被粗糙化。 然后，将初始的圆柱形电极暴露于粗糙化处理，使得初始下部被粗糙化为下部。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
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