发明授权
US07768821B2 Non-volatile SRAM memory cell equipped with mobile gate transistors and piezoelectric operation
有权
非易失性SRAM存储单元配有移动栅极晶体管和压电操作
- 专利标题： Non-volatile SRAM memory cell equipped with mobile gate transistors and piezoelectric operation
- 专利标题（中）： 非易失性SRAM存储单元配有移动栅极晶体管和压电操作
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申请号： US12169264申请日： 2008-07-08
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公开(公告)号： US07768821B2公开(公告)日： 2010-08-03
- 发明人: Olivier Thomas , Michael Collonge , Maud Vinet
- 申请人： Olivier Thomas , Michael Collonge , Maud Vinet
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： FR0756348 20070709
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/34
摘要：
The present application relates to a non-volatile random-access memory cell equipped with a suspended mobile gate and with piezoelectric means for operating the gate.
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