发明授权
- 专利标题： Method for etching silicon-germanium in the presence of silicon
- 专利标题（中）： 在硅存在下蚀刻硅锗的方法
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申请号： US11704799申请日： 2007-02-09
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公开(公告)号： US07776745B2公开(公告)日： 2010-08-17
- 发明人: Nicolas Loubet , Didier Dutartre , Alexandre Talbot , Laurent Rubaldo
- 申请人： Nicolas Loubet , Didier Dutartre , Alexandre Talbot , Laurent Rubaldo
- 申请人地址： FR Montrouge
- 专利权人： STMicroelectronics S.A.
- 当前专利权人： STMicroelectronics S.A.
- 当前专利权人地址： FR Montrouge
- 代理机构： Wolf, Greenfield & Sacks, P.C.
- 代理商 Lisa K. Jorgenson; James H. Morris
- 优先权： FR0650484 20060210
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
A method for selectively etching single-crystal silicon-germanium in the presence of single-crystal silicon, including a chemical etch based on hydrochloric acid in gaseous phase at a temperature lower than approximately 700° C.
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