发明授权
- 专利标题： Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same
- 专利标题（中）： 用于沉积含钽膜的钽酰胺配合物及其制备方法
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申请号： US12773650申请日： 2010-05-04
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公开(公告)号： US07838073B2公开(公告)日： 2010-11-23
- 发明人: Tianniu Chen , Chongying Xu , Thomas H. Baum
- 申请人： Tianniu Chen , Chongying Xu , Thomas H. Baum
- 申请人地址： US CT Danbury
- 专利权人： Advanced Technology Materials, Inc.
- 当前专利权人： Advanced Technology Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CT Danbury
- 代理机构： Intellectual Property/Technology Law
- 代理商 Steven J. Hultquist; Maggie Chappuis
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00 ; C07F9/00
摘要：
Tantalum precursors useful in depositing tantalum nitride or tantalum oxides materials on substrates, by processes such as chemical vapor deposition and atomic layer deposition. The precursors are useful in forming tantalum-based diffusion barrier layers on microelectronic device structures featuring copper metallization and/or ferroelectric thin films.
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