发明授权
- 专利标题： Test circuit and method for multilevel cell flash memory
- 专利标题（中）： 多电平单元闪存的测试电路和方法
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申请号： US12899120申请日： 2010-10-06
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公开(公告)号： US07939892B2公开(公告)日： 2011-05-10
- 发明人: Hieu Van Tran , Anh Ly , Sang Thanh Nguyen , Vishal Sarin , Hung Q. Nguyen , William John Saiki , Loc B. Hoang
- 申请人： Hieu Van Tran , Anh Ly , Sang Thanh Nguyen , Vishal Sarin , Hung Q. Nguyen , William John Saiki , Loc B. Hoang
- 申请人地址： US AZ Chandler
- 专利权人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 当前专利权人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US AZ Chandler
- 代理机构： DLA Piper LLP (US)
- 主分类号： H01L23/62
- IPC分类号： H01L23/62 ; H03K5/08
摘要：
A test device and method may be used to detect voltage, current or signals of a digital multilevel memory cell system or to test operation or performance by applying inputted voltages, currents or signals to the memory cell system.
公开/授权文献
- US20110022905A1 Test Circuit and Method for Multilevel Cell Flash Memory 公开/授权日：2011-01-27
信息查询
IPC分类:
