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发明授权
US07977243B2 Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus 有权
阻隔金属膜制造装置，阻隔金属膜制造方法，金属膜制造方法以及金属膜制造装置

Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus
摘要：
A Cl2 gas plasma is generated at a site within a chamber between a substrate and a metal member. The metal member is etched with the Cl2 gas plasma to form a precursor. A nitrogen gas is excited in a manner isolated from the chamber accommodating the substrate. A metal nitride is formed upon reaction between excited nitrogen and the precursor, and formed as a film on the substrate. After film formation of the metal nitride, a metal component of the precursor is formed as a film on the metal nitride on the substrate. In this manner, a barrier metal film with excellent burial properties and a very small thickness is produced at a high speed, with diffusion of metal being suppressed and adhesion to the metal being improved.
摘要（中）：

在衬底和金属构件之间的室内的位置处产生Cl 2气体等离子体。 用Cl 2气体等离子体蚀刻金属构件以形成前体。 以与容纳基板的室隔离的方式激发氮气。 在被激发的氮和前体之间反应时形成金属氮化物，并在基板上形成膜。 在金属氮化物成膜后，在基板上的金属氮化物上形成前体的金属成分作为膜。 以这种方式，以高速度产生具有优异的埋藏性能和非常小的厚度的阻挡金属膜，其中金属的扩散被抑制并且对金属的粘附性得到改善。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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