发明授权
US07977735B2 Stacked non-volatile memory device and methods for fabricating the same
有权
堆叠的非易失性存储器件及其制造方法
- 专利标题： Stacked non-volatile memory device and methods for fabricating the same
- 专利标题（中）： 堆叠的非易失性存储器件及其制造方法
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申请号： US12717076申请日： 2010-03-03
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公开(公告)号： US07977735B2公开(公告)日： 2011-07-12
- 发明人: Erh-Kun Lai , Hang-Ting Lue , Kuang Yeu Hsieh
- 申请人： Erh-Kun Lai , Hang-Ting Lue , Kuang Yeu Hsieh
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Haynes Beffel & Wolfeld LLP
- 主分类号： H01L29/792
- IPC分类号： H01L29/792
摘要：
A stacked non-volatile memory device comprises a plurality of bit line and word line layers stacked on top of each other. The bit line layers comprise a plurality of bit lines that can be formed using advanced processing techniques making fabrication of the device efficient and cost effective. The device can be configured for NAND operation.
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