发明授权
- 专利标题： Method of operating nonvolatile memory device
- 专利标题（中）： 操作非易失性存储器件的方法
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申请号： US12071960申请日： 2008-02-28
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公开(公告)号： US08018781B2公开(公告)日： 2011-09-13
- 发明人: Kwang-soo Seol , Sang-jin Park , Sung-hoon Lee , Sung-il Park , Jong-seob Kim , Jung-dal Choi , Ki-hwan Choi , Jae-sung Sim , Seung-hyun Moon
- 申请人： Kwang-soo Seol , Sang-jin Park , Sung-hoon Lee , Sung-il Park , Jong-seob Kim , Jung-dal Choi , Ki-hwan Choi , Jae-sung Sim , Seung-hyun Moon
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics, Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics, Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2007-0020622 20070228; KR10-2007-0037166 20070416; KR10-2007-0087691 20070830
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
Provided is a method of operating a nonvolatile memory device to perform an erase operation. The method includes applying a composite pulse including a direct current (DC) pulse and a DC perturbation pulse to the nonvolatile memory device to perform the erase operation.
公开/授权文献
- US20080205156A1 Method of operating nonvolatile memory device 公开/授权日：2008-08-28
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