Bonding structure and fabrication thereof

发明授权

US08034711B2 Bonding structure and fabrication thereof 有权

标题翻译：粘结结构及其制造

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专利标题： Bonding structure and fabrication thereof
专利标题（中）： 粘结结构及其制造
申请号： US11964195

申请日： 2007-12-26
公开(公告)号： US08034711B2

公开(公告)日： 2011-10-11
发明人: Chen-Hua Yu , Horng-Huei Tseng
申请人： Chen-Hua Yu , Horng-Huei Tseng
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
代理机构： Thomas|Kayden
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

Bonding structure and fabrication thereof

摘要：

A bonding structure and the method of fabricating the same are disclosed. The bonding structure of the invention includes a copper-based pad formed in an insulator layer and a protection layer substantially covering top surface of the copper-based pad. The protection layer is self-aligned formed and the material thereof is selected from a group consisting of metal nitride, copper alloy, copper compounds, and a combination thereof.

摘要（中）：

公开了一种接合结构及其制造方法。本发明的接合结构包括形成在绝缘体层中的铜基焊盘和基本上覆盖铜基焊盘顶表面的保护层。保护层是自对准的，其材料选自金属氮化物，铜合金，铜化合物及其组合。

公开/授权文献

US20080102198A1 BONDING STRUCTURE AND FABRICATION THEREOF 公开/授权日：2008-05-01

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）