发明授权
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
-
申请号： US12382232申请日： 2009-03-11
-
公开(公告)号： US08039905B2公开(公告)日： 2011-10-18
- 发明人: Young-Bae Yoon , Jeong-Dong Choe , Dong-Hoon Jang , Ki-Hyun Kim
- 申请人： Young-Bae Yoon , Jeong-Dong Choe , Dong-Hoon Jang , Ki-Hyun Kim
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Lee & Morse, P.C.
- 优先权： KR10-2008-0023062 20080312
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66
摘要：
A semiconductor device includes a substrate having a first area and a second area, a first transistor in the first area, a second transistor in the second area, an isolation layer between the first area and the second area, and at least one buried shield structure on the isolation layer.
公开/授权文献
- US20090230456A1 Semiconductor device 公开/授权日：2009-09-17
信息查询
IPC分类:
