发明授权
- 专利标题： Methods of forming semiconductor devices formed by processes including the use of specific etchant solutions
- 专利标题（中）： 通过包括使用特定蚀刻剂溶液的工艺形成半导体器件的方法
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申请号： US12199928申请日： 2008-08-28
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公开(公告)号： US08092698B2公开(公告)日： 2012-01-10
- 发明人: Yu-Kyung Kim , Chang-Ki Hong , Sang-Jun Choi , Jeong-Nam Han
- 申请人： Yu-Kyung Kim , Chang-Ki Hong , Sang-Jun Choi , Jeong-Nam Han
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Myers Bigel Sibley & Sajovec, PA
- 优先权： KR10-2004-0061227 20040803
- 主分类号： B44C1/22
- IPC分类号： B44C1/22
摘要：
The present invention provides etchant solutions including deionized water and an organic acid having a carboxyl radical and a hydroxyl radical. Methods of forming magnetic memory devices are also disclosed.
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