发明授权
- 专利标题： Methods for forming a transistor and modulating channel stress
- 专利标题（中）： 形成晶体管和调制沟道应力的方法
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申请号： US11165282申请日： 2005-06-23
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公开(公告)号： US08105908B2公开(公告)日： 2012-01-31
- 发明人: Sunderraj Thirupapuliyur , Faran Nouri , Lori Washington
- 申请人： Sunderraj Thirupapuliyur , Faran Nouri , Lori Washington
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Diehl Servilla LLC
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
Methods are provided for manufacturing transistors and altering the stress in the channel region of a single transistor. One or more parameters that are effect stress in the channel region are altered for a single transistor to increase or decrease the channel stress in PMOS and NMOS transistors.
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