Thin-film transistors with metal source and drain and methods of fabrication

发明授权

US08222646B2 Thin-film transistors with metal source and drain and methods of fabrication 有权

标题翻译：具有金属源和漏极的薄膜晶体管和制造方法

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专利标题： Thin-film transistors with metal source and drain and methods of fabrication
专利标题（中）： 具有金属源和漏极的薄膜晶体管和制造方法
申请号： US11474665

申请日： 2006-06-26
公开(公告)号： US08222646B2

公开(公告)日： 2012-07-17
发明人: Man Wong , Hoi Sing Kwok , Dongli Zhang
申请人： Man Wong , Hoi Sing Kwok , Dongli Zhang
申请人地址： HK Hong Kong
专利权人： The Hong Kong University of Science and Technology
当前专利权人： The Hong Kong University of Science and Technology
当前专利权人地址： HK Hong Kong
代理机构： Leydig, Voit & Mayer, Ltd.
主分类号： H01L29/10
IPC分类号： H01L29/10 ; H01L27/01

Thin-film transistors with metal source and drain and methods of fabrication

摘要：

A thin-film transistor includes a source and a drain that have each been replaced with a metal by a heat-treatment at a temperature within the range of 250° C. and 500° C.

摘要（中）：

薄膜晶体管包括通过在250℃和500℃的温度范围内的热处理而各自被金属替代的源极和漏极。

公开/授权文献

US20070007530A1 Thin-film transistors with metal source and drain and methods of fabrication 公开/授权日：2007-01-11

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/10	...具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的