公开(公告)号：US08754416B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US11604094

申请日：2006-11-24

申请人： Hoi-Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Jiaxin Sun ,  Xiuling Zhu

发明人： Hoi-Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Jiaxin Sun ,  Xiuling Zhu

IPC分类号： H01L31/036

CPC分类号： H01L27/124

摘要： The present invention provides a method of an active-matrix thin film transistor array, comprising of two levels of metallic interconnections formed from one layer of metallic conductor; and thin-film transistors with source, drain and gate electrodes either fully or partially replaced with metal, and wherein the pixel electrodes are polycrystalline silicon.

摘要翻译： 本发明提供一种有源矩阵薄膜晶体管阵列的方法，包括由一层金属导体形成的两层金属互连; 源极，漏极和栅电极的薄膜晶体管，全部或部分被金属取代，其中像素电极是多晶硅。

公开(公告)号：US20080203394A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11604094

申请日：2006-11-24

申请人： Hoi-Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Jiaxin Sun ,  Xiuling Zhu

发明人： Hoi-Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Jiaxin Sun ,  Xiuling Zhu

IPC分类号： H01L31/036 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/124

摘要： The present invention provides a method of an active-matrix thin film transistor array, comprising of two levels of metallic interconnections formed from one layer of metallic conductor; and thin-film transistors with source, drain and gate electrodes either fully or partially replaced with metal, and wherein the pixel electrodes are polycrystalline silicon.

摘要翻译： 本发明提供一种有源矩阵薄膜晶体管阵列的方法，包括由一层金属导体形成的两层金属互连; 源极，漏极和栅电极的薄膜晶体管，全部或部分被金属取代，其中像素电极是多晶硅。

公开(公告)号：US20060263957A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11413073

申请日：2006-04-27

申请人： Man Wong ,  Hoi-Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Xuejie Shi

发明人： Man Wong ,  Hoi-Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Xuejie Shi

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

摘要： Crystallization-inducing metal elements are introduced onto an amorphous silicon thin film. A first, low-temperature, heat-treatment induces nucleation of metal-induced crystallization (MIC), resulting in the formation of small polycrystalline silicon “islands”. A metal-gettering layer is formed on the resulting partially crystallized thin film. A second, low-temperature, heat-treatment completes the MIC process, whilst gettering metal elements from the partially crystallized thin film. The process results in the desired polycrystalline silicon thin film.

摘要翻译： 将结晶诱导金属元素引入到非晶硅薄膜上。 第一个低温热处理会引起金属诱导结晶（MIC）的成核，导致形成小的多晶硅“岛”。 在所得部分结晶的薄膜上形成金属吸收层。 第二种低温热处理完成了MIC工艺，同时从部分结晶的薄膜中吸收金属元素。 该工艺产生所需的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：US08222646B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US11474665

申请日：2006-06-26

申请人： Man Wong ,  Hoi Sing Kwok ,  Dongli Zhang

发明人： Man Wong ,  Hoi Sing Kwok ,  Dongli Zhang

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

摘要： A thin-film transistor includes a source and a drain that have each been replaced with a metal by a heat-treatment at a temperature within the range of 250° C. and 500° C.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括通过在250℃和500℃的温度范围内的热处理而各自被金属替代的源极和漏极。

公开(公告)号：US08088676B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US11413073

申请日：2006-04-27

申请人： Man Wong ,  Hoi-Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Xuejie Shi

发明人： Man Wong ,  Hoi-Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Dongli Zhang ,  Xuejie Shi

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

摘要： Crystallization-inducing metal elements are introduced onto an amorphous silicon thin film. A first, low-temperature, heat-treatment induces nucleation of metal-induced crystallization (MIC), resulting in the formation of small polycrystalline silicon “islands”. A metal-gettering layer is formed on the resulting partially crystallized thin film. A second, low-temperature, heat-treatment completes the MIC process, whilst gettering metal elements from the partially crystallized thin film. The process results in the desired polycrystalline silicon thin film.

摘要翻译： 将结晶诱导金属元素引入到非晶硅薄膜上。 第一个低温热处理会引起金属诱导结晶（MIC）的成核，导致形成小的多晶硅“岛”。 在所得部分结晶的薄膜上形成金属吸收层。 第二种低温热处理完成了MIC工艺，同时从部分结晶的薄膜中吸收金属元素。 该工艺产生所需的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：US09299863B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US12437236

申请日：2009-05-07

申请人： Hoi Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Man Wong

发明人： Hoi Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Man Wong

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/076 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell photovoltaic device using ultrathin films of polycrystalline silicon and deep uneven surface structures is disclosed. According to one embodiment, the uneven structures include one or more pits having a depth of at least 10 microns. According to another embodiment, the uneven structures include one or more cones or columns having a height or at least 10 microns. Because the unevenness of the structures, the photovoltaic device is able to use a very thin layer of polycrystalline silicon to effectively trap and absorb light.

摘要翻译： 公开了一种使用多晶硅和深凹凸表面结构的超薄膜的太阳能电池光伏器件。 根据一个实施例，不平坦结构包括具有至少10微米深度的一个或多个凹坑。 根据另一个实施例，不平坦结构包括具有高度或至少10微米的一个或多个锥体或柱。 由于结构的不均匀性，光伏器件能够使用非常薄的多晶硅层来有效地捕获和吸收光。

公开(公告)号：US07790580B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11684447

申请日：2007-03-09

申请人： Hoi Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Shuyun Zhao ,  Chunya Wu

发明人： Hoi Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Shuyun Zhao ,  Chunya Wu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

摘要： The invention provides a method for forming thin film transistors including a polycrystalline semiconducting film. The method comprises depositing a first layer of amorphous semiconducting thin film on to a substrate; depositing a second layer of thin film on to the first layer of amorphous semiconducting thin film; patterning the second layer of thin film so that the first layer of amorphous semiconducting thin film is exposed at selected locations; exposing the first and second layers of thin film to a nickel containing compound in either a solution or a vapor phase; removing the second layer of thin film; and annealing the first layer of amorphous semiconducting thin film at an elevated temperature so the first layer of amorphous semiconducting thin film converts into a polycrystalline semiconducting thin film.

摘要翻译： 本发明提供一种形成包括多晶半导体膜的薄膜晶体管的方法。 该方法包括将非晶半导体薄膜的第一层沉积到衬底上; 在第一非晶半导体薄膜层上沉积第二层薄膜; 图案化第二层薄膜，使得第一层非晶半导体薄膜在选定的位置曝光; 将溶液或气相中的第一和第二层薄膜暴露于含镍化合物; 去除第二层薄膜; 以及在升高的温度下使所述第一非晶半导体薄膜层退火，使得所述第一非晶半导体薄膜层转变为多晶半导体薄膜。

公开(公告)号：US20110012124A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12841316

申请日：2010-07-22

申请人： Hoi Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Shuyun Zhao ,  Chunya Wu

发明人： Hoi Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Shuyun Zhao ,  Chunya Wu

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

摘要： The invention provides a method for forming thin film transistors including a polycrystalline semiconducting film. The method comprises depositing a first layer of amorphous semiconducting thin film on to a substrate; depositing a second layer of thin film on to the first layer of amorphous semiconducting thin film; patterning the second layer of thin film so that the first layer of amorphous semiconducting thin film is exposed at selected locations; exposing the first and second layers of thin film to a nickel containing compound in either a solution or a vapor phase ; removing the second layer of thin film; and annealing the first layer of amorphous semiconducting thin film at an elevated temperature so the first layer of amorphous semiconducting thin film converts into a polycrystalline semiconducting thin film.

摘要翻译： 本发明提供一种形成包括多晶半导体膜的薄膜晶体管的方法。 该方法包括将非晶半导体薄膜的第一层沉积到衬底上; 在第一非晶半导体薄膜层上沉积第二层薄膜; 图案化第二层薄膜，使得第一层非晶半导体薄膜在选定的位置曝光; 将溶液或气相中的第一和第二层薄膜暴露于含镍化合物; 去除第二层薄膜; 以及在升高的温度下使所述第一非晶半导体薄膜层退火，使得所述第一非晶半导体薄膜层转变为多晶半导体薄膜。

公开(公告)号：US20090134790A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12339431

申请日：2008-12-19

申请人： Hoi Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Jiaxin Sun ,  Xiuling Zhu

发明人： Hoi Sing Kwok ,  Man Wong ,  Zhiguo Meng ,  Jiaxin Sun ,  Xiuling Zhu

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/3248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5206

摘要： Metal induced polycrystallized silicon is used as the anode in a light emitting device, such as an OLED or AMOLED. The polycrystallized silicon is sufficiently non-absorptive, transparent and made sufficiently conductive for this purpose. A thin film transistor can be formed onto the polycrystallized silicon anode, with the silicon anode acting as the drain of the thin film transistor, thereby simplifying production.

摘要翻译： 在诸如OLED或AMOLED的发光器件中使用金属诱导的多晶硅作为阳极。 多晶硅是充分不吸收的，透明的并且为此达到足够的导电性。 可以在多晶硅阳极上形成薄膜晶体管，硅阳极充当薄膜晶体管的漏极，从而简化生产。

公开(公告)号：US06953716B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10740537

申请日：2003-12-22

申请人： Man Wong ,  Hoi Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Mingxiang Wang

发明人： Man Wong ,  Hoi Sing Kwok ,  Zhiguo Meng ,  Mingxiang Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022

摘要： A metal induced lateral crystallization (MILC) poly-silicon material is produced by depositing a metal in a predefined pattern on amorphous silicon, and heat treating the silicon at a first temperature to form a MILC poly-Si material. The MILC poly-Si material is further heat treated at a second temperature higher than the first temperature to induce recrystallization. The second high temperature recrystallization step significantly enhances the material structure, and in particular the grain structure, of the poly-Si material with substantial benefits to the performance of semiconductor devices made therefrom.

摘要翻译： 金属诱导横向结晶（MILC）多晶硅材料是通过在非晶硅上以预定图案沉积金属制造的，并在第一温度下热处理硅以形成MILC多晶硅材料。 在高于第一温度的第二温度下进一步对MILC多晶硅材料进行热处理以引发重结晶。 第二高温再结晶步骤显着地提高了多晶硅材料的材料结构，特别是晶粒结构，对由其制成的半导体器件的性能具有实质的益处。