发明授权
- 专利标题： Method of fabricating metal interconnection and method of fabricating image sensor using the same
- 专利标题（中）： 制造金属互连的方法及使用其制造图像传感器的方法
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申请号： US13206703申请日： 2011-08-10
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公开(公告)号： US08338295B2公开(公告)日： 2012-12-25
- 发明人: Jeong-Ho Lee , Young-Hoon Park , Sang-Il Jung , Jun-Seok Yang , An-Chul Shin , Min-Young Jung
- 申请人： Jeong-Ho Lee , Young-Hoon Park , Sang-Il Jung , Jun-Seok Yang , An-Chul Shin , Min-Young Jung
- 申请人地址： KR Suwon-Si
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-Si
- 代理机构： F. Chau & Associates, LLC
- 优先权： KR10-2007-0121000 20071126
- 主分类号： H01L21/441
- IPC分类号： H01L21/441
摘要：
A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.
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