公开(公告)号：US20110294288A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13206703

申请日：2011-08-10

申请人： Jeong-Ho LEE ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho LEE ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。

公开(公告)号：US08003429B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12313067

申请日：2008-11-17

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Sang-Il Jung ,  Young-Hoon Park ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Sang-Il Jung ,  Young-Hoon Park ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L27/14643

摘要： A method of fabricating an image sensor includes forming a photoelectric transformation device on a substrate and forming a dielectric layer structure on the substrate. The dielectric layer structure includes multi-layer interlayer dielectric layers and multi-layer metal interconnections which are located between the multi-layer interlayer dielectric layers. A cavity which penetrates the multi-layer interlayer dielectric layers on the photoelectric transformation device is formed. A heat treatment is performed on the substrate on which the cavity is formed.

摘要翻译： 制造图像传感器的方法包括在基板上形成光电转换装置，并在基板上形成介电层结构。 电介质层结构包括位于多层层间电介质层之间的多层层间电介质层和多层金属互连。 形成穿透光电转换装置上的多层层间电介质层的空腔。 在其上形成有空腔的基板上进行热处理。

公开(公告)号：US08338295B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US13206703

申请日：2011-08-10

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。

公开(公告)号：US08026171B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US12274040

申请日：2008-11-19

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Young-Hoon Park ,  Sang-Il Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。

公开(公告)号：US20090130792A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12313067

申请日：2008-11-17

申请人： Jeong-Ho Lee ,  Sang-ll Jung ,  Young-Hoon Park ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： Jeong-Ho Lee ,  Sang-ll Jung ,  Young-Hoon Park ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L27/14643

摘要： A method of fabricating an image sensor includes forming a photoelectric transformation device on a substrate and forming a dielectric layer structure on the substrate. The dielectric layer structure includes multi-layer interlayer dielectric layers and multi-layer metal interconnections which are located between the multi-layer interlayer dielectric layers. A cavity which penetrates the multi-layer interlayer dielectric layers on the photoelectric transformation device is formed. A heat treatment is performed on the substrate on which the cavity is formed.

摘要翻译： 制造图像传感器的方法包括在基板上形成光电转换装置，并在基板上形成电介质层结构。 电介质层结构包括位于多层层间电介质层之间的多层层间电介质层和多层金属互连。 形成穿透光电转换装置上的多层层间电介质层的空腔。 在其上形成有空腔的基板上进行热处理。

公开(公告)号：US20090137111A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12274040

申请日：2008-11-19

申请人： JEONG-HO LEE ,  Yonng-Hoon Park ,  Sang-II Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

发明人： JEONG-HO LEE ,  Yonng-Hoon Park ,  Sang-II Jung ,  Jun-Seok Yang ,  An-Chul Shin ,  Min-Young Jung

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： A method of fabricating a metal interconnection and a method of fabricating image sensor using the same are provided. The method of fabricating a metal interconnection including forming a interlayer dielectric layer on a substrate, forming an interconnection formation region in the interlayer dielectric layer, performing an ultraviolet (UV) treatment on the substrate after the interconnection formation region is formed and forming a metal interconnection in the interconnection formation region.

摘要翻译： 提供了一种制造金属互连的方法和使用其制造图像传感器的方法。 一种制造金属互连的方法，包括在衬底上形成层间电介质层，在层间电介质层中形成互连形成区，在互连形成区形成之后对衬底进行紫外（UV）处理，并形成金属互连 在互连形成区域中。